CONTRIBUTION A L’ETUDE DU SYSTEME BINAIRE Cr/Si IMPLANTE (As)

Abstract

Dans ce travail, la réaction à l'état solide entre un film mince de chrome et de silicium a été étudiée en utilisant la spectroscopie de rétrodiffusion Rutherford, la diffraction des rayons X et des mesures de résistance carrée. Une épaisseur de 1000 nm de chrome a été déposée par bombardement électronique sur des substrats de Si (100), une partie des échantillons avaient été implantés avec des ions d'arsenic d’une dose de 10 +15 at / cm ² sous une l'énergie de 100 keV. Les échantillons ont été traités thermiquement par recuit thermique rapide sous diverses températures de (450 à 600°C) pendant des intervalles de temps de 15 à 60s. Le recuit thermique rapide conduit à une réaction à l'interface Cr / Si induisant la formation et la croissance du CrSi2 de l’unique siliciure, et aucune autre phase n’est détectée. Pour les échantillons implantés avec de l'arsenic la valeur de saturation de la résistance de carrée est plus élevée que pour le cas implantés des échantillons non implantée. Mots clés : couches minces, chrome, silicium, siliciures de chrome, réactions à l’état solide. Recuit thermique rapide