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http://dspace.univ-setif.dz:8888/jspui/handle/123456789/6363
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| Titre: | Etude et caractérisation des nanostructures sur électrode d’ITO |
| Auteur(s): | Djerboua, Lidia Bouhafs, Azdihar |
| Mots-clés: | ITO ZnO Cu2O Voltamétrie cyclique CV Chronoampérométrie CA UV-Vis |
| Date de publication: | 2024 |
| Résumé: | Notre travail consiste en la synthèse et la caractérisation des films minces Cu2Oet ZnO par la technique d’électrodéposition sur substrats ITO. Deux structures ont été formées. Cu2O/ITO et ZnO /ITO. Nous avons étudié les mécanismes de l’électrodéposition du Cu2O et ZnO en utilisant les techniques de la Voltamétrie cyclique (VC) et la chronoampérométrie (CA). Les mesures de CA de Cu2O en fonction de temps de déposition et ZnO/ITO ont montré que des courants transitoires maximum imax au potentiel de – 0.650 V pour Cu2O et -1.3 V pour ZnO à T=70°C. L'analyse UV-Vis permet de déterminer les propriétés optiques des nanostructures du Cu2O, ZnO telles que l’absorption, la transmission, l’énergie du gap. La mesure de mott-schottky permet de déterminer la nature des semi-conducteur n ou p pour chaque échantillon.. Ces dispositifs ont fait l’objet de caractérisation électrochimique, structurale, morphologique, optique et électrique. En somme, de telles structures trouvent plusieurs applications en énergie solaire photovoltaïque et capteurs
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Our work consists of the synthesis and characterization of Cu2O and ZnO thin films by the electrodeposition technique on ITO substrates. Two structures were formed. Cu2O/ITO and ZnO/ITO. We studied the mechanisms of the electrodeposition of Cu2O and ZnO using the techniques of cyclic voltammetry (VC) and chronoamperometry (CA). CA measurements of Cu2O as a function of deposition time and ZnO/ITO showed that maximum transient currents imax at the potential of – 0.650 V for Cu2O and -1.3 V for ZnO at T=70°C. UV-Vis analysis makes it possible to determine the optical properties of Cu2O, ZnO nanostructures such as absorption, transmission, gap energy. The Mott-Schottky measurement makes it possible to determine the nature of the n or p semiconductor for each sample. These devices were the subject of electrochemical, structural, morphological, optical and electrical characterization. In short, such structures find several applications in photovoltaic solar energy and sensors. |
| URI/URL: | http://dspace.univ-setif.dz:8888/jspui/handle/123456789/6363 |
| Collection(s) : | Mémoires de master
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