Synthèse et caractérisation des couches minces sur électrode oxyde d’étain dopé a l’indiam

Abstract

Dans ce travail on a étudié l’effet du temps de dépôt sur les propriétés des couches minces d’oxyde de cuivreux (Cu2O) qui est posé sur le substrat d’oxyde d’étain dopé a l’indium (ITO) élaborées par la technique électrodéposition sur des substrats en verre. Où ces couches ont été déposées à différents temps de dépôt (5 et 10 min) avec la fixation des autres paramètres tel que: la température du substrat (60°C), la concentration de la solution (0,05 mol/litre) et le pH (11). Les résultats obtenus à partir des caractérisations utiliser: spectroscopie UV-Visible, IR, microscopie électronique à balayage (MEB), ont montré que le temps de dépôt 5 minutes est l’optimal pour déposer une couche mince semiconductrice type P d'oxyde de cuivreux avec des bonne propriétés structurelles, morphologique, optique et électrique, prometteuse pour des applications photovoltaïques ============================================================================= In this work we studied the effect of deposition time on the properties of thin layers of cuprous oxide (Cu2O) which is placed on the substrate of tin oxide doped with indium (ITO) produced by the electroplating technique on glass substrates. Where these layers were deposited at different deposition times (5 and 10 min) with the fixation of other parameters such as: the temperature of the substrate (60°C), the concentration of the solution (0.05 mol/liter) and the pH (11). The results obtained from the characterizations used: UV-Visible spectroscopy, IR, scanning electron microscopy (SEM), showed that the deposition time 5 minutes is optimal for depositing a thin P-type semiconductor layer of cuprous oxide. with good structural, morphological, optical and electrical properties, promising for photovoltaic applications.