Etude et caractérisation des structures optiques conductrices à base de matériaux organiques et anorganiques

Abstract

Une considération particulière a été portée sur l'oxyde de zinc qui est un semi-conducteur de type n possédant d'excellentes propriétés qui lui confèrent la possibilité d'être exploité dans de nombreux domaines intéressant et pertinent tel que l'optoélectronique.C’est dans cette direction que s’inscrit ce travail de thèse qui consiste à élaborer et caractériser des films d’oxyde de zinc pures et dopées dans le but d’améliorer les propriétés structurales, optiques et électriques de ZnO. Les couches minces ont été déposées sur l’ITO par voie chimique. Les caractérisations effectuées sur les couches dopées Sn et Al révèlent que ces dopants modifient les propriétés optiques du ZnO en augmentant le gap optique et améliorant la transmittance et la photoluminescence ce qui peut être utile pour la nouvelle technologie. La caractérisation des couches minces de ZnO dopées Sn et Al a montré que le dopage affecte les propriétés structurales,morphologiques et électriques du ZnO. En particulier,nous avons démontré la possibilité de déposer des films de SZO et AZO à basse température susceptibles d’être utilisées dans des applications en cellules photovoltaïques,en couches minces ainsi que dans plusieurs d’autres domaines, selon la concentration molaire, le taux de dopage et le type du substrat utilisé.