Effet des conditions de dépôt sur les propriétés électriques des couches SiNx et SiO2

Abstract

Ce travail de thèse consiste à la mise en œuvre, l’optimisationet l’étude des paramètres électriques, optiques et structurelles d’une double couche de passivation formée de nitrure de silicium hydrogéné et d’oxyde de silicium (SiNx-H/SiO2). Cette étude s’est intéressée en premier lieu au nettoyage et au traitement de surface du silicium de type-p destiné à la fabrication des cellules solaires photovoltaïques. A cet effet, une solution alcaline à base d’hydroxyde de potassium (KOH) a été optimisée en vue de l’amincissement des plaquettes et le polissage de leur surface pour diminuer la rugosité. Ensuite, nous nous sommes intéressés à l’optimisation de dépôt de nano-couches d’oxyde de silicium thermique et chimique. En utilisant les techniques de caractérisation appropriées, une investigation sur la qualité de la passivation basé sur l’étude des interfaces SiO2-Si et SiNx/SiO2-Si a été menée sur des structures MOS et MNOS respectivement, en présentant une étude comparative entre le SiO2 thermique et chimique suivi d’un dépôt de SiNx sur des substrats de type p-Cz ainsi que sur des structures avec émetteurs n+p.