Électrosynthèse et caractérisation de semiconducteurpour des applications dans les cellules photoélectrochimiques

Abstract

Des couches mince d’oxyde de plomb dopé ou non dopé par le zinc (PbO et PbO:Zn) ont été synthétisées par voie électrochimique. Les nanostructures ont été élaborées par électrodéposition à potentiel imposé direct(ED) et à potentiel pulsé (EP) sur des plaques d’ITO, à partir d’une solution de nitrate de plomb(Pb(NO3)2).Les résultats montrent que les propriétés phoélectrochimiques des films minces de PbO obtenus par voie de l'électrodéposition pulsée sont meilleures par rapport à ceux obtenus par électrodéposition directe. Pour le dpage de PbO par le zincnous avons choisi la méthode EP pour l’élaboration de couches minces de PbO:Znet nous avons fait varier le temps de dépôt de zinc. Les films obtenus ont été utilisés comme électrodes de travail dans la photoélectrochimique.Les caractérisations physico-chimiques montrent que les propriétés et la photo-activité desfilms de PbO sont meilleures aux longue durées de recuit (40 heures)L’analyse par la diffraction des rayons Xmontre que les structure de PbO.Les images au microscope électronique à balayage (MEB) présentent un changement significatif vers des nanorodes à faible durée d’électrodéposition. La réponse du photocourant a révélée que la une conductivité des films minces de PbO est de type pet que la réponse était plus élevée pour PbO:Zn.