Analyse des défauts profonds dans le CuInSe2 à l'aide des techniques PAS, PC, DLTS et MCTS.

Abstract

CuInSe2 (CIS) et ses alliages font actuellement le sujet d’un développement rigoureux et de programmes d’étude qui sont simulés par leur potentiel dans des applications de dispositifs photovoltaïques. Cependant et malgré les améliorations apportées vis-à-vis les techniques de fabrication en couches minces, les dispositifs à base de ces composés ont à faire beaucoup de chemin pour atteindre leurs limites d’efficacité. Les difficultés majeures sont dues dans la reproduction du matériau avec les mêmes propriétés physiques désirées. Il est bien connu que les propriétés électriques de ces matériaux sont largement contrôlées par les défauts intrinsèques. Dans ce travail, on analyse les défauts profonds mesurés dans le monocristal de CuInSe2 à l’aide de quatre techniques différentes : la spectroscopie de photoacoustique (SPA), la photoconductivité (PC), la spectroscopie transitoire des défauts profonds (DLTS) et la spectroscopie transitoire des porteurs minoritaires (MCTS). Les mesures ont été faites sur des échantillons monocristallins de CuInSe2 préparés en utilisant le four de Bridgman à translation verticale. Les résultats obtenus de ces mesures sont interprétés à la lumière des connaissances existantes sur les défauts chimiques de ce composé.