Modélisation des phénomènes de transport et simulation numérique des cellules solaires à Barrière de Schottky

Abstract

La cellule solaire a barrière de Schottky est un contacte métal semi-conducteurs auquel on a ajouté une couche ultra fine ,entre 1nm et 3nm, d’isolant pour en réduire le courant de saturation et en améliorer par conséquent le rendement .le composant ainsi obtenu est une structure MIS (métal isolante semi-conducteur) qui défère de la MIS tunnel classique pour le non équilibre des porteurs dans le ZCE dans les régimes d’inversion et le déplétion elle est le siège de plusieurs phénomènes de transport le tunnel directe ,diffusion ,dérive génération ,recombinaison et courante d’état d’interface . dans ce travail , on explore le structure et on étudie les différent courants pour déduire les conditions d’utilisation optimale . un rendement maximale de 24,7 est prévu pour un dopage entre 2*10^16 - 5*10^16 et une épaisseur d’oxyde entre 19°A -23°A . ces conditions a la domination du courant de diffusion et le courant de recombinaison dans le régime de forte inversion .