Etude électrique et structurale des matériaux a larges bandes interdites (SiC et AlN)

Abstract

Ce présent travail a pour objectif l’étude électrique et structurale des matériaux à large bande interdite en vue de leurs applications dans les diodes de puissances. Dans la première partie de ce travail nous avons utilisé la méthode des algorithmes génétiques en vue de l’extraction des paramètres des diodes de puissance à base du carbure de Silicium en (Mo/4H-SiC, W/4H-SiC et Ni/4H-SiC) à partir des caractéristiques couranttension en directe, à différentes températures. Nous avons utilisé les différents modèles à barrières homogènes et à barrières inhomogènes. Les résultats des paramètres obtenus à partir des modèles ont contribué comprendre les mécanismes de transport de courants ce type de diodes. Dans la deuxième partie de ce travail, des films AlN ont été élaboré par une technique PVD and PECVD en l’occurrence la pulvérisation RF magnétron. Un modèle optique est proposé de caractérisation des films AlN à partir de la technique FTIR, basé sur la manière de croissance de ces films, ce qui nous à permis de corréler les paramètres de deux différentes techniques de caractérisation FTIR et Rocking curve (DRX). Le modèle a contribué à la compréhension de la structure de ces films à large bande interdite.