Modelisation et simulation des contacts metal-semiconducteur a barrière inhomogene

Abstract

Plusieurs Travaux théoriques et expérimentaux ont montré l’existence d’une barrière de potentiel inhomogène à l’interface des contacts métal/semi-conducteur. Il y eu jusqu'à l’heure que deux modèles qui expliquent cette barrière, le modèle de Werner et le modèle de Tung. Nous avons considéré ce dernier qui suppose des petites zones (patchs) de faibles barrières de potentiel noyées dans une surface uniforme de plus forte hauteur barrière de potentiel. Pour vérifier ce phénomène physique, nous avons considérés des diodes Schottky à base de carbure de silicium (SiC), un semiconducteur à large bande interdite et qui fait l’objet d’une attention particulière de la part de la communauté scientifique en raison de sa composition chimique, sa conductivité électrique, sa stabilité thermique et sa tenue en tension (supporte des tensions inverses de l’ordre du KV). Le simulateur TCAD nous a permis de simuler la barrière homogène et inhomogène de plusieurs contacts réels et leurs caractéristiques courantes tensions (I-V) et voir l’influence de la température sur l’évolution des courbes, puis montrer l’influence de l’implantation ionique sur les caractéristiques inverses. Les résultats obtenus sont en bon accord avec l’expérience.