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Dépôt Institutionnel de l'Université Ferhat ABBAS - Sétif 1 >
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| Titre: | Contribution a l'étude de la croissance des cavités d'hydrogène dans les semi conducteurs |
| Auteur(s): | Okba, Fouad |
| Mots-clés: | Silicium sur isolants
précipitation de l’hydrogène
croissances des platelets |
| Date de publication: | 9-jui-2018 |
| Résumé: | Parmi les matériaux de base utilisés en microélectronique pour la fabrication de substrats innovants,le silicium sur isolant (SOI*Silicon On Insulator*),fabriqué par la technologie Smart Cut tm ,aréussi a tirer son épingle du jeu.
Le SOI permet d'améliorer les performances des composants (transistors plus rapides, consommation d'énergie réduite) . |
| URI/URL: | http://dspace.univ-setif.dz:8888/jspui/handle/123456789/2306 |
| Collection(s) : | Thèses de doctorat
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