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Titre: Modélisation simulation multi-échelle de la croissance de nanoplôts de Si sur des substrats Si et SiGe oxydés
Auteur(s): Fetah, Sabah
Mots-clés: la croissance de nanoplôts
des substrats Si et SiGe oxydés
Date de publication: 7-jui-2018
Résumé: Sommaire: -Chapitre I : Mémoires non volatiles à nanoplôts. -Chapitre II : Méthodologies de simulation. -Chapitre III : Génération des défauts ponctuels à la surface (Calculs ab initio) -Chapitre IV : Simulation du procédé (KMC) -Références bibliographiques -Conclusion générale
URI/URL: http://dspace.univ-setif.dz:8888/jspui/handle/123456789/1960
Collection(s) :Thèses de doctorat

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