Modelisation des transistors fet appliqueé aux dispositifs radiofréquences en utilisant l’approche neuronale

Abstract

Le thème essentiel de ce travail est la modélisation des transistors MOSFET de puissance par l’approche neuronale. Le but recherché est la modélisation du courant de drain qui représente le non linéarité la plus importante du transistor. Le modèle neuronale élaboré est basé sur le perceptron multicouche, entrainé par la retro propagation du gradient avec momentum et a donné de bons résultats en comparaison au modèle théorique.