Propriétés structurales, élastiques et dynamiques des semiconducteurs IV-IV

Abstract

Le travail de cette thèse a pour objectif une étude théorique des composées semiconducteurs SiX ( X= C, Ge) du type IV-IV, cristallisant dans la phase zinc-blende, ainsi que leurs alliages binaires. En utilisant le programme ABINIT, l'ensemble de ces études est basé sur la LDA (l'approximation de la densité locale) associée à la DFT (la théorie de la fonctionnelle de densité). Les propriétés structurales (Le paramètre de maille, le module de rigidité et sa dérivée), mécaniques (constantes élastiques, module de cisaillement, le coefficient de Zener, le coefficient de Poisson, et le module de Young), vibrationnelles (Le spectre des phonons et leurs fréquences le long des différentes lignes de symétrie Γ, X, et L), et thermodynamiques (température de Debye, l’énergie libre, l’énergie interne, l’entropie, et la capacité thermique) des composées semiconducteurs SiX ( X= C, Ge) du type IV-IV, ainsi que leurs alliages binaires ont été calculées en utilisant la méthode VCA (virtual crystal approximation) et celle de la supercellule SC.