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| Titre: | Modélisation et simulation des phénomènes de transport dans la structure métal-isolant-semiconducteur (MIS) |
| Auteur(s): | Rahal, Abdelghani |
| Mots-clés: | Mécanisme de transport
Structure MIS
Courant tunnel
MATLAB |
| Date de publication: | 27-mai-2018 |
| Résumé: | La structure métal-isolant-semi conducteur (MIS) est un des composants électroniques les plus importants.Il est utilisé comme capacité à semi-conducteur ,diode tunnel, cellule mémoire,cellule solaire et structure de commande dans les transistors MOSFET.
Si la couche d'isolation est assez mince,la structure devient le siége du quasi totalité des phénoméne de transports connus dans la théorie des composants semi-conducteur: dérive, diffusion, génération, recombinaison, tunnel bande à bande, tunnel à travers les états d'interface, etc les conditions d'equilibre de la structure ne peuvent étre trouvées qu'en prenant en compte tous ces phénoménes. |
| URI/URL: | http://dspace.univ-setif.dz:8888/jspui/handle/123456789/1792 |
| Collection(s) : | Mémoires de magistère
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