Préparation et Caractérisation du ditéléniure de cuivre et d'indium (CuInTe2)

Abstract

Ce travail concerne l'élaboration et la caractérisation de Cu(In,Ga)Te2 pour des applications optoélectroniques et photovoltaïques. Dans un premier temps, il a été procédé à la synthèse du matériau massif dans un four à refroidissement long et programmé. Ce dernier servira de matière première pour les élaborations qui suivent. Dans un deuxième temps, des couches minces ont été élaborés par deux techniques: la première est basée sur le principe de transport chimique en phase vapeur à courte distance dans un réacteur fermé (CSVT). C'est une technique originale et à faible coût. La deuxième technique est l'évaporation éclair (évaporation flash). Des caractérisations structurales, électriques et optiques ont été réalisées. Des mesures par spectroscopie photoacoustique ont permis d’identifier deux types de défauts: les défauts superficiels identifiés dans le front d'absorption et les défauts profonds identifiés dans la queue d'absorption. Les conditions expérimentales de dépôt ont été optimisées.