Modélisation des phénomènes de transport dans les structures MOS

Abstract

La course a la miniaturisation des circuits intégrés provoque l'apparition d'un certain nombre de et s parasites, venant dégrader les caractéristiques électriques des dispositifs. Ce sont les fuites de grille croissant avec la réduction de l’épaisseur de diélectrique dans la capacité MOS. Dans ce cadre, il s'agit plus précieusement de réaliser des structures (capacité) MOS/4H-SiC et d’étudier le comportement électrique du système (SiO2=SiC) formes a n d'en évaluer sa qualité, dont le but est d’acquérir une parfaite connaissance et une bonne maîtrise des phénomènes de transports de courant de fuite a travers l'oxyde de grille. Aussi, dans un premier temps, a partir de cette caractérisation a température ambiante, die rente mécanismes de conduction a travers l'oxyde sont apparus dans die rentes gammes de champ électrique et avec la méthode des moindres carres nous pouvons extraire plusieurs paramétrés physiques de la structure. Nous nous intéressons ensuite altitude en température de l’émission FoulerNordheim, car il joue un r^ole dominant, notamment dans la destruction des composants, en utilisant les trois modelés proposes, le modelé de GoodMuller, le modelé de SnowLenzlinger et le modelé de Pakistanais, cette etude nécessité l'utilisation des méthodes d'optimisation non déterministe comme la méthode du recuit simule et la méthode des algorithmes genetiques. En n, nous avons étudier l'extraction des paramétrés physiques dans les structures réelles a base de 4H-SiC en utilisant la méthode des algorithmes génétiques.