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Titre: Relaxation dans les semiconducteurs
Auteur(s): Boumaza, Mohamed
Mots-clés: Relaxation
Semiconducteur
Date de publication: 14-mai-2018
Résumé: -Chapitre I: Structure électronique et bandes d'énergie -Chapitre II: Dynamique du réseau -Chapitre III:Interaction trou-phonon dans le modèle massif des phonons -Chapitre IV: Interaction des trous avec les phonons optiques polaires confinés et d'interfaces -Chapitre V:Temps de relaxation de l'impulsion des trous lourds dus aux phonons optiques polaires
URI/URL: http://dspace.univ-setif.dz:8888/jspui/handle/123456789/1564
Collection(s) :Thèses de doctorat

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