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Titre: | Relaxation dans les semiconducteurs |
Auteur(s): | Boumaza, Mohamed |
Mots-clés: | Relaxation Semiconducteur |
Date de publication: | 14-mai-2018 |
Résumé: | -Chapitre I: Structure électronique et bandes d'énergie
-Chapitre II: Dynamique du réseau
-Chapitre III:Interaction trou-phonon dans le modèle massif des phonons
-Chapitre IV: Interaction des trous avec les phonons optiques polaires confinés et d'interfaces
-Chapitre V:Temps de relaxation de l'impulsion des trous lourds dus aux phonons optiques polaires |
URI/URL: | http://dspace.univ-setif.dz:8888/jspui/handle/123456789/1564 |
Collection(s) : | Thèses de doctorat
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