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Titre: Study of silicon solar cells performances using the impurity photovoltaic effect
Auteur(s): AZZOUZI, Ghania
Mots-clés: Effet des impuretés photovoltaïques ; performances des cellules solaires au silicium ; simulateur SCAPS.
Date de publication: 15-déc-2014
Résumé: Nous avons étudié dans cette thèse les caractéristiques des cellules solaires à base de de silicium. Pour améliorer le rendement des cellules photovoltaïques, nous avons étudié un concept de la troisième génération des cellules solaires nommé „‟ impurity photovoltaic effect‟‟. Nous avons introduit le soufre comme une nouvelle impureté dans la base du composant afin d‟augmenter le courant de court circuit et par conséquent le rendement de conversion. Nous avons utilisé pour le calcul de ses caractéristiques le simulateur Scaps. La structure utilisée dans cette étude est la structure n+pp+. Nous avons varié quelques paramètres comme la concentration de ces impuretés et la position des niveaux énergétiques dans le gap. Nous avons varié aussi les coefficients de réflexion interne pour augmenter l‟absorption de la lumière dans la région IR. L‟incorporation du soufre comme IPV impureté dans le gap fait augmenter le photocourant et le rendement de conversion des cellules étudiées, particulièrement pour le niveau énergétique Ec-Et=0.18eV et pour un piégeage idéal et une faible concentration du soufre.
URI/URL: http://dspace.univ-setif.dz:8888/jspui/handle/123456789/142
Collection(s) :Thèses de doctorat

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