Caractérisation optique des structures d’oxydes et semi-conducteurs

Abstract

Ce travail concerne la préparation et la caractérisation des structures ZnO/ITO, polymère/ ITO et le GaN. La technique chronoampérométrique a été utilisée, l’effet de temps de déposition, la température et le potential imposé influe sur la qualité des couches minces obtenues de ZnO. Une analyse du comportement de la voltamétrie cyclique nous a permis de montrer l'effet des conditions d’électrodépôt, et l'influence du cyclage (nombre de cycle) sur la qualité optique du polymère. Le nitrure de gallium a été préparé sur le substrat de saphire par EJM, les constants diélectriques des trois matériaux cités sont déterminés par l’ellipsométrie spectroscopique. Nous avons complété notre travail par des différentes techniques de caractérisation morphologique et structurale à savoir : la microscopie à force atomique (AFM), la diffraction des rayons X (DRX) et la spectroscopie infrarouge par transformation de Fourier (FTIR).