Etude des Propriétés Electriques des CouchesMinces de SnO2 Obtenues par Sol-Gel

Abstract

Dans ce travail, nous avons élaboré des films, multicouches de 3, 5 et 7 couches, de SnO2 et de SnO2 dopé à 15 % d'indium sur des substrats en verre ordinaire par la méthode dip-coating du procédé Sol–Gel. Pour les utilisées comme électrodes dans les cellules photovoltaïques nanocristallines à base de colorant. Les propriétés électriques de ces films dépendent directement de la méthode de leurs préparations et des conditions de leurs élaborations. Les couches obtenues sont très résistives due à plusieurs paramètres qui sont: la structure poreuse, le flux d'oxygène appliqué durant le recuit, la taille des grains. Le paramètre le plus important étant la discontinuité de la structure; en effet, les électrons ont du mal à passer d'un grain à l'autre. Les couches recuites montrent une forte densification et une faible épaisseur comprise entre 134 et 160 nm. L'indice de réfraction varie fortement avec la densification de ces couches; qui est liée au taux de porosité des films. Nous avons déterminé le gap de ces films par les méthodes optiques, à savoir: par les spectres d'absorbance dans le domaine UV-Visible. La valeur du gap est comprise entre 3.78 et 3.97 eV. Le taux de transmission de ces films est compris entre 76 et 89 %.